Superfast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes 200 V, 2 A, DO-214AA دیودفست 200 ولت 2 آمپر اس ام دی
استفاده در انواع مدارات مخابراتی
اینورترهای جوش و برش
محافظ ها
درایورهای IGBT
Features
Circuit Diagram Mechanical Data
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified
Case: Low Profile Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
Weight: 0.06 grams(approx)
Glass Passivated Die Construction
Ideally Suited for Automatic Assembly
Low Forward Overload Drop, High Efficiency
Low Power Loss
Super-Fast Recovery Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
|
ویژگی |
مقادیر |
|
خانواده |
دیود |
|
سری دیود |
فست |
| تعداد پین | 2 |
| پکیج |
DO-214AA |
| ولتاژکاری |
200V |
| جریان کاری |
2A |
| توان |
- |
| VZ |
- |
| VRRM | 200V |
| VRMS |
140V |
| VDC |
- |
|
VF |
- |
| (IF(AV)-I(AV |
2A |
|
IFRM |
- |
|
IFSM |
50A |
|
(IR(25°C |
5µA |
|
(IR(HIGH TEMP |
50µA |
|
CJ |
- |
|
Trr |
250ns |
|
ابعاد |
5.5x2.8x2.3mm |
|
دمای کاری |
175+~65- |
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
|
نوع مونتاژ |
DIP |
|
ویژگی خاص |
- |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
BZX55C33 Zener Diodes 33V 500mW دیود زنر33 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ولوم 30000 سیکل دوبل روبردی / 1کیلو بسیار با کیفیت و طول عمر بالا رو بردی potentiometer B102 5pin کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
ترانس HI VOLTAGE مدل FBT-02 -استفاده در بردهای HF دستگاه پلاسما- استفاده در انواع دستگاه جوش آرگون