ترانزیستور دارلینگتون NPN ولتاژ120- ولت 20- آمپر Silicon PNP Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min.)
·High DC Current Gain-
: hFE= 750(Min.)@IC= -10A
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications
برد خام 4 خازنی دستگاه IGBT -دستگاه 200 آمپری-نصب پل دیود بر بروی برد تک رله-PTC و NTC دار- وریستور دار - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد کد AT-POW-IG-PD-2
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری 4.7 اهم 10 وات 4.7R10W 4.7R
ترانزیستور PNP ولتاژ 45- ولت 100 -میلی آمپر Bipolar Transistors - BJT -45V,-100mA PNP TRANSISTOR
ترانزیستور NPN ولتاژ 30 ولت 800 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 30V,800mA NPN TRANSISTOR
