ترانزیستور دارلینگتون NPN ولتاژ120- ولت 20- آمپر Silicon PNP Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min.)
·High DC Current Gain-
: hFE= 750(Min.)@IC= -10A
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications
23A,100V, 0.117 Ohm, P-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.117
میکروکنترلر 8 بیتی با فلش 64 کیلو بایت،رم 3.8 کیلو بایت،ایتپرام 1 کیلو بایت و 25 پین ورودی/خروجی 28/40/44-Pin, Low-Power, High-Performance Microcontrollers with nanoWatt XLP Technology
میکروکنترلر 8 بیتی میکروچیپ با فلش 3.5 کیلو بایت و رم 128 بایت و فرکانس کاری 32 مگاهرتز 8/14-Pin Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology
مقاومت کربنی560کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor