ترانزیستور دارلینگتون NPN ولتاژ120- ولت 20- آمپر Silicon PNP Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min.)
·High DC Current Gain-
: hFE= 750(Min.)@IC= -10A
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications

ماسفت P کانال 30 ولت 12 آمپر MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
مقاومت کربنی2.2 مگااهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت کربنی56 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
BZX55C8V2 Zener Diodes 8.2V 500mW دیود زنر8.2 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)