ترانزیستور دارلینگتون NPN ولتاژ120- ولت 20- آمپر Silicon PNP Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min.)
·High DC Current Gain-
: hFE= 750(Min.)@IC= -10A
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی2.7 مگااهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
BZX55C62 Zener Diodes 62V 500mW دیود زنر62 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ترانزیستورPNP ولتاژ 200- ولت500- میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -200V,-500mA PNP TRANSISTOR
