25A, 1200 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
25A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
50A |
IC(HIGH TEMP) |
25A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
348W |
VGE(th) |
5-6-7V |
VCE(sat) |
2-2.4V |
ICM-IC PULSE |
100A |
IF(25°C) |
25A |
IF(HIGH TEMP) |
12.5A |
td(ON) |
73ns |
tr |
41ns |
td(off) |
269ns |
Trr |
100ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x20.30x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(SAT),
high switching performance and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & PV inverter and Welder
Applications.
Features
High Speed Switching & Low VCE(sat) Loss
VCE(sat) = 2.0V @IC = 25A
High Input Impedance
trr = 100ns (typ.) @ diF/dt = 500A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Pb-free ; RoHS compliant
Ultra Soft, fast recovery anti-parallel diode
Ultra Narrowed VF distribution control
Positive Temperature coefficient for easy paralleling
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
با سیم-آبی ترانسدیوسر Transducers Open loop current sensor based on the principle of Hall-effect سنسور حلقه باز اثر هال 0 تا 600 آمپری اریجینال خروجی 4 ولت
مقاومت کربنی15 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
200 پیکو فاراد عدسی خازن سرامیکی 200pF