ماسفت تک 30 ولت ، 4 آمپر ،کانال N ،مقاومت درین سورس 33 میلی اهم N-Channel enhancement N-Channel, 30V, 4.0A, Power MOSFET
Descriptions
The WNM3003 is N-Channel enhancement MOS
Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology
and design to provide excellent RDS (ON) with low gate
charge. This device is suitable for use in DC-DC
conversion and power switch applications. Standard
Product WNM3003 is Pb-free.
Features
z Trench Technology
z Supper high density cell design
z Excellent ON resistance for higher DC current
z Extremely Low Threshold Voltage
z Small package SOT-23
Applications
z Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.
z DC-DC converter circuit
z Power Switch
z Load Switch
z Charging
میکروکنترلر 8 بیتی با فلش 64 کیلو بایت،رم 3.8 کیلو بایت،ایتپرام 1 کیلو بایت و 25 پین ورودی/خروجی 28/40/44-Pin, Low-Power, High-Performance Microcontrollers with nanoWatt XLP Technology
میکروکنترلر 8 بیتی میکروچیپ با فلش 14 کیلو بایت و رم 3.6 کیلو بایت و فرکانس کاری 20 مگاهرتز 28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers
مقاومت1 % کربنی 2 وات کیفیت بالا و صنعتی
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 900V,5A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
