POWER MOSFET 21A, 1000V, 0.500 Ohm ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر RDS(on) = 500mΩ advanced power technology
POWER MOSFET
21A, 1000V, 0.500 Ohm
ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر
RDS(on) = 500mΩ
advanced power technology
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-264 |
|
ولتاژکاری |
1000V |
|
جریان کاری |
21A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
1000V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
21A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
84A |
|
PD(TA=25°C) |
4.16W |
|
PD(TC=25°C) |
520W |
| RDS(on) |
0.500Ω |
|
td(ON) |
16-32ns |
|
tr |
13-26ns |
|
td(off) |
59-90ns |
|
Trr |
960ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
20.50x26.49x5.21mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
معمولی |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
مزایا:
• Faster Switching • 100% Avalanche Tested
• Lower Leakage • Popular TO-264 Package
برد 8 ای جی بی تی اصلی 40N60 دستگاه جوش مدل 250 آمپری یا 200 آمپری iGBT قابلیت 2 ولوم - نمایشگر-PCB بسیار باکیفیت و عایق قطعات بالاترین کیفیت برد آبی یا سبز
Current Mode PWM Controller,DIP-16 درایور PWM اریجینال تگزاز امریکایی 500 میلی آمپر خروجی 500 کیلوهرتز
اداپتور 12 ولت 3 آمپر
20KOhm مولتی ترن 1/2 وات 25 دور 1/2W Multiturn Cermet Trimming Potentiometer 20K Ohm مولتی ترن 203
