TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 900V,5A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 1.1 Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
Enhancement−mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
5A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
5A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
15A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
1.9Ω |
|
td(ON) |
65ns |
|
tr |
30ns |
|
td(off) |
210-420ns |
|
Trr |
1.6µs |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مقاومت کربنی5.6 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
50A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 50 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
N-CHANNEL MOSFET,60V,200mA TO-92 ماسفت N کانال 60 ولت 200 میلی آمپر
دیود فست 600 ولت 80 آمپر WXDH چین - کاتد مشترک /Low-Loss Fast Recovery Diode 600V,80A,TO-3P
