MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB ماسفت قدرت 55- ولت 31 آمپر RDS(on) = 60mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
-55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Summary of Features
Benefits
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V- |
|
جریان کاری |
31A |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
31A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
22A- |
|
IDM-IDP |
110A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
ای جی بی تی 30 آمپر 600 ولت ST اریجینال اروپایی/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 50 کیلو هرتز/ 30A, 600 V, very fast IGBT,TO-247/ GW20NC60VD
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی120 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor