-55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB ماسفت قدرت 55- ولت 31 آمپر RDS(on) = 60mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
-55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Summary of Features
Benefits
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V- |
|
جریان کاری |
31A |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
31A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
22A- |
|
IDM-IDP |
110A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
500V N-Channel MOSFET,TO-3P 19A, 500V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V ماسفت قدرت 500 ولت18 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
ساخت نیپا بسیار با کیفیت ساخت ژاپن(فیلیپین) 105 درجه سایز 35 در 70 سری طول عمر بالا (HP) استفاده عمده در جوش های اینورتری HP102W25AT
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت5 % کربنی 2 وات