MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 17 آمپر RDS(on) = 90mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
17A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
17A |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
برد6خازنی دستگاه جوش مدل 250 یا 200 آمپری(بیشتر IGBT ) کیفیت بالا و صنعتی استفاده از خازن با کیفیت 560 میکروفاراد 450 ولت یا 400 ولت دو رله PTC دار قطعات دیپ - برد سبز یا آبی رنگ
ای سی اپ امپ تقویت کننده عملیاتی دو تایی با ولتاژ کاری 36 ولت DUAL GENERAL-PURPOSE OPERATIONAL AMPLIFIERS
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE 600V,30A,TO-247 ,trr=23ns ,VF=1.6V / دیود تک فست 600 ولت 30 آمپر
پتانسیومتر 500 اهم ایستاده / POT 500 OHM / WH06-1C-500