MOSFET N-CH 60V 12A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 120 ولت 60 آمپر RDS(on) =3mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
RoHS Compliant, Halogen-Free
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
60V |
|
جریان کاری |
12A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
60V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
210A |
|
ID(HIGH TEMP) |
150A |
|
IDM-IDP |
840A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
ای جی بی تی 30 آمپر 600 ولت ST اریجینال اروپایی/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 50 کیلو هرتز/ 30A, 600 V, very fast IGBT,TO-247/ GW20NC60VD
PTC THERMISTOR FEATURES * High ageing cofficient * Superior withstanding voltage oxidation-resistan پی تی سی پر قدرت مربعی شکل 18 اهم 270 ولت
ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر سیلان چین/ مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / Rds=0.27Ω N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A TO-3P
مبدل DAC ،تبدیل سیگنال دیجیتال 12 بیت به سیگنال آنالوگ با رابط SPI ، ولتاژ کاری 2.7 تا 5.5 ولت 2.7V 12-Bit A/D Converter with SPI Serial Interface
