ای جی بی تی فست 25 آمپر 1200 ولت WXDH چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 1200V, 25 A Field Stop IGBT
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
using Field Stop III IGBT technology, offers the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application.
50A, 650V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=50A
Low conduction loss
Fast switching
High input impedance
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
50A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
- |
|
IC(HIGH TEMP) |
- |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
- |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
WXDH |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کیفیت خوب |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Electric Welder
Frequency Converter
Photovoltaic Inverter
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
مقاومت کربنی6.2 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
بردخام تک رو تغذیه دوبل 24 و 15 ولت - فایبرگلاس با کیفیت - کیفیت بسیار بالا تولید آترین ورودی AC و DC
با دو نمایشگردیجیتال مجزا-هویه 50 وات با کنترل دمای بین 200 تا 480 درجه سانتیگراد- هیتر 450 وات کنترل دمای بین 100 تا 500 درجه سانتیگراد و جریان باد دهی 120 لیتر در دقیقه
