25A, 1200 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر جوشکاری از جمله invt،happen ،ENC و maspower
اینورترهای دور و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
25A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
25A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
348W |
|
VGE(th) |
5-6-7V |
|
VCE(sat) |
2-2.4V |
|
ICM-IC PULSE |
100A |
|
IF(25°C) |
25A |
|
IF(HIGH TEMP) |
12.5A |
|
td(ON) |
73ns |
|
tr |
41ns |
|
td(off) |
269ns |
|
Trr |
100ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x20.30x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
SILAN |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(SAT),
high switching performance and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & PV inverter and Welder
Applications.
Features
High Speed Switching & Low VCE(sat) Loss
VCE(sat) = 2.0V @IC = 25A
High Input Impedance
trr = 100ns (typ.) @ diF/dt = 500A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Pb-free ; RoHS compliant
Ultra Soft, fast recovery anti-parallel diode
Ultra Narrowed VF distribution control
Positive Temperature coefficient for easy paralleling
60A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 60 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
دی مالتی پلکسر 3 به 8 3-to-8 line decoder/demultiplexer; inverting
ای جی بی تی 40 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال چیپ اتریش / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 40A, 600 V Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® -technology with anti-parallel diode
دیود پل تک فاز 1000 ولت 3 آمپر مربعی/ 3Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier