40A, 1200 V,Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال اتریش دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال اتریش
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
75A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
270W |
|
VGE(th) |
5-5.8-6.5V |
|
VCE(sat) |
1.8-2.3V |
|
ICM-IC PULSE |
105A |
|
IF(25°C) |
80A |
|
IF(HIGH TEMP) |
40A |
|
td(ON) |
48ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
480ns |
|
Trr |
240ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.15x21.16x5.28mm |
|
دمای کاری |
150+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
اتریش |
|
کیفیت |
اریجینال اتریش واردات از Digi-Key اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
مشخصات بیشتر:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 80mΩ
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
مقاومت5 % کربنی 1 وات
