1200V,200A,infineon,2-Pack ماژول 1200 ولت 200 آمپر دوبل فرکانس بالا و سریع اینفینیون اریجینال
اورجینال اینفینئون آلمان-مونتاژ مجارستان(تقلبی چینی آن در بازار به وفور هست)
600V,50A, IGBT Modules,MITSUBISHI,6-Pack ماژول 600 ولت 50 آمپر شش تایی میتسوبیشی اریجینال
اریجینال میتشوبیشی ژاپن
1200V,75A, IGBT Modules,MITSUBISHI,6-Pack ماژول 1200 ولت 75 آمپر شش تایی میتسوبیشی اریجینال
اریجینال میتشوبیشی ژاپن
1200V,100A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 100 آمپر -سمیکرون اریجینال
اورجینال سمیکرون آلمان-ساخت اسلوواکی(تقلبی چینی آن در بازار به وفور هست)
دیود فست 600 ولت 30 آمپر فیرچایلد آلمان / 30A,600V TO-220 , Hyperfast Diode trr = 28ns
IR معمولی- واردات از چین
ای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 600 ولت ایفینیون استوک مونتاژ چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 50A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP
معمولی- استوک(قدیمی)مونتاژچین
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
اورجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن
دیود فست 600 ولت 15 آمپر فیرچایلد آلمان/15A,600V TO-220 , Hyperfast Diode trr = 40 ns (@ IF = 15 A) VF = 2.1 V (@ TC = 25°C)
اریجینال- واردات از Digi-Key اتریش
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن (افزایش قیمت جهانی)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن(افزایش شدید قیمت جهانی)
ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال اتریش/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 40A, 1200 V,Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop
اورجینال اتریش واردات از Digi-Key اتریش
دیود فست 300 ولت 60 آمپر ST ایتالیا / 60A,300V TO-247 ,HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER trr = 55ns کاتد مشترک
اریجینال ایتالیا واردات از Digi-Key اتریش