ای جی بی تی الترا فست 20 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 20A, 600 V, Ultra-Fast IGBT,TO-3P
اورجینال- واردات از Digi-Key اتریشدیود فست 600 ولت 30 آمپر فیرچایلد آلمان / 30A,600V TO-220 , Hyperfast Diode trr = 28ns
IR معمولی- واردات از چینای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 600 ولت ایفینیون استوک مونتاژ چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 50A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP
معمولی- استوک(قدیمی)مونتاژچینای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
اورجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپندیود فست 600 ولت 15 آمپر فیرچایلد آلمان/15A,600V TO-220 , Hyperfast Diode trr = 40 ns (@ IF = 15 A) VF = 2.1 V (@ TC = 25°C)
اریجینال- واردات از Digi-Key اتریشN CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A(80A 100C), TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=8 میلی اهم
اورجینال مکزیک- بسیار با کیفیت(توقف تولید-فعلا مکزیکی در دسترس نیست )TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن (افزایش قیمت جهانی)TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن(افزایش شدید قیمت جهانی)Cool MOS Power Transistor, N CHANNEL, 650V, 47A, TO-247 ماسفت قدرت 650 ولت 47 آمپر infineon اریجینال RDS(on) = 0.07Ω کمترین مقدار در دنیا!!
اریجینال -واردات از Digi-Key اتریشای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال اتریش/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 40A, 1200 V,Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop
اورجینال اتریش واردات از Digi-Key اتریشای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولتIR اریجینال مکزیک/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ IGBT Trench 600V 75A 454W Through Hole TO-247AD / n-channel ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
اورجینال سفارش اروپا (پایه کوتاه)دیود فست 300 ولت 60 آمپر ST ایتالیا / 60A,300V TO-247 ,HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER trr = 55ns کاتد مشترک
اریجینال ایتالیا واردات از Digi-Key اتریش