دیود فست 600 ولت 30 آمپر فیرچایلد آلمان / 30A,600V TO-220 , Hyperfast Diode trr = 28ns
IR معمولی- واردات از چین52A, 1200 V, IGBT ای جی بی تی 52 آمپر 1200 ولت زیمنس استوک مونتاژ چین
کپی- استوک مونتاژ چینای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 600 ولت ایفینیون استوک مونتاژ چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 50A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP
معمولی- استوک(قدیمی)مونتاژچینپل دیود تکفاز پر قدرت 25 آمپر 1000 ولت بدنه گلاس-فلزی(پلاستیک مخصوص و طرف پایین فلزی) /25A,100V ,SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
اریجینال تایوان-کیفیت بسیار بالاتکفازی-4 خروجی مجزا-برد 20 ماسفتی 23N50 اصلی ژاپنی دستگاه جوش مدل 250 آمپری یا 220 آمپری PCB بسیار باکیفیت و عایق قطعات بالاترین کیفیت برد آبی یا سبز
کیفیت بالاای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
اورجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپندیود فست 600 ولت 15 آمپر فیرچایلد آلمان/15A,600V TO-220 , Hyperfast Diode trr = 40 ns (@ IF = 15 A) VF = 2.1 V (@ TC = 25°C)
اریجینال- واردات از Digi-Key اتریشپل دیود تکفاز پر قدرت 50 آمپر 1000 ولت بدنه گلاس(پلاستیک مخصوص) / 50A,1000V ,SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
اریجینال تایوان-کیفیت بسیار بالاTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن(افزایش شدید قیمت جهانی)TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن (افزایش قیمت جهانی)ای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولتIR اریجینال مکزیک/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ IGBT Trench 600V 75A 454W Through Hole TO-247AD / n-channel ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
اورجینال سفارش اروپا (پایه کوتاه)ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال اتریش/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 40A, 1200 V,Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop
اورجینال اتریش واردات از Digi-Key اتریش