HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ

HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 75mΩ

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن

""تست شود""" 650V, 40 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 650 ولت فیرچایلد دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

600V 30A,HIGH SPEED NPT ای جی بی تی الترا فست 30 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال اتریش دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

600V,41A,IGBT Standard Speed IGBT ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت بدون دیود هرزگرد

600V,27A,IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست

ای جی بی تی فست 160 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 600V, 160 A Ultrafast IGBT

600V, 60 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 60 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

600V, 60 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 60 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

1200V, 40 A NPT IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا