1200V,200A, CHOPPER Modules ,SEMIKRON,2-PACK ماژول چاپر 1200 ولت 200 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
اریجینال سمیکرون آلمان1200V,300A, IGBT Modules ,SEMIKRON,LOW CHOPPER چاپر -ماژول 1200 ولت 300 آمپر تک -سمیکرون اریجینال
اریجینال سمیکرون آلمان104Amp 1600V. Rectifier Dual Diode Module دیود دوتایی 1600 ولت 104 آمپر ایفینیون(یوپک)
اریجینال106Amp 1600V. Rectifier Dual Diode Module دیود دوتایی 1600 ولت 106 آمپر ایفینیون(یوپک)
اریجینالTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن600V, 77 A, 41 mΩV N-Channel SuperFET® II Easy-Drive MOSFET ماسفت قدرت 600 ولت77 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
کپی - کیفیت معمولی""تست شود""" 650V, 40 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 650 ولت فیرچایلد دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
استوک 2012 - قبل از خرید تعداد تست شود25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
اورجینال واردات از Digi-Key اتریش- (افزایش شدید قیمت جهانی)دیود فست 400 ولت 30 آمپر / 30A,400V TO-247 ,High Efficient Rectifiers Diode trr = 80ns کاتد مشترک
اریجینال تایوان-کیفیت بسیار بالا600V,41A,IGBT Standard Speed IGBT ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت بدون دیود هرزگرد
استوکای جی بی تی فست 160 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 600V, 160 A Ultrafast IGBT
استوک 2011SMPS MOSFET 20A, 500V, 0.240 Ohm, N-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت N کانال 500 ولت 20 آمپر فیلیپین RDS(on) = 240mΩ
اریجینال فیلیپین(افزایش موقت قیمت جهانی)