خریدار عزیز اگر سفارش شما از طریق پست یا تیپاکس ارسال شده است
از طریق رهگیری سفارشات سایت آترین ،
شماره مرسوله پست یا شماره بارکد تیپاکس را دریافت نمایید
و با مراجعه به سایت اداره پست یا سایت تیپاکس سفارش را رهگیری نمایید.
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L2−π−MOSV) 60V,5A MOSFET,TO-252 ماسفت قدرت 60 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن
کپی ساخت چین-غیر صنعتی TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L2−π−MOSV) 60V,5A MOSFET,TO-252 ماسفت قدرت 60 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن
Superfast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes 200 V, 2 A, DO-214AA دیودفست 200 ولت 2 آمپر اس ام دی
Superfast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes 200 V, 2 A, DO-214AA دیودفست 200 ولت 2 آمپر اس ام دی
1200V,150A,infineon,2-Pack 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode ماژول 1200 ولت 150 آمپر دوبل فرکانس بالا و سریع اینفینیون اریجینال
HALF-BRIDGE DRIVER VOFFSET 600V max IO+/-130 mA / 270 mA (گیت درایور) ماسفت درایور نیم پل 600 ولت 270 میلی امپری
HALF-BRIDGE DRIVER VOFFSET 600V max IO+/-130 mA / 270 mA (گیت درایور) ماسفت درایور نیم پل 600 ولت 270 میلی امپری
1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
RF POWER transistor, N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 1A; 20W ماسفت قدرتRF-ولتاژ65 وات 1 آمپر توان 20 وات و فرکانس 945 مگا هرتز
دیود فست 1200 ولت 15 آمپر/15A, 1200 V, Hyperfast Diode trr = 75 ns (@ IF = 15 A) VF = 3.2 V (@ TC = 25°C)
طول کابل 28 سانتیمتر -اتصال از ترانسفومرهای برد وسط 12 دیودی به برد بالایی 12 ماسفتی
هیت سینک قطعات الکترونیکی از جمله رگلاتور به ارتفاع 2 سانتیمتر و طول 1.5 سانتیمتری و ضخامت 1 سانتیمتری - ساخت ایران- سوراخ کار شده
