09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

K4108/2SK4108 اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

2SK4108
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
3.1 %
48,800 تومان 47,300 تومان
+20
7.0 %
46,800 تومان 45,400 تومان
+100
10.9 %
44,800 تومان 43,500 تومان
+500
14.8 %
42,900 تومان 41,600 تومان

نقد و بررسی اجمالی

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن

 

 دریافت دیتا شیت

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن


موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

ماسفت

سریMOSFET-FET

MOSFET-Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

500V

جریان کاری

20A

نوع کانال

N-CHANNEL

VDS-VDSS

500V

VGS-VGSS

±30V

VGS(th)

-

 ID(25°C)

20A

 ID(HIGH TEMP)

-

IDM-IDP

80A

PD(TA=25°C)

-

PD(TC=25°C)

150W
RDS(on)

0.21-0.27Ω

td(ON)

130ns

tr

70ns

td(off)

280ns

Trr

1300ns

MOSFET PACK

1

ابعاد

15.9x20x4.8mm

دمای کاری

150+~55-

برند

TOSHIBA

کشور سازنده

 ژاپن

کیفیت

ارجینال توشیبا ژاپن
نوع مونتاژ DIP




مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
 High forward transfer admittance : |Yfs| = 14 S (typ.)
 Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
 Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)



به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن