2.2 نانو فاراد عدسی خازن سرامیکی 2.2NF
مشخصات:
|
ویژگی |
مقادیر |
|
خانواده |
خازن |
| تعداد پین |
2 |
| ظرفیت خازن |
2.2NF |
| ولتاژ کاری |
- |
| تلرانس (درصد خطا) |
10 |
| پکیج |
- |
| نوع مونتاژ |
DIP |
| کشور سازنده | چین |
| برند |
OTHER |
| جنس |
سرامیکی |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
- |
|
کیفیت |
خوب |
|
ویژگی خاص |
- |
ا
HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
1200V,150A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 150 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 10 پین(مادگی) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
ترانزیستور ولتاژ بالای -300 ولت 100 میلی آمپر SOT-23 PNP High Voltage Amplifier -300V,100mA
