HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
TRANSISTOR, P-channel MOSFET,IRF9Z24N
12A ,55V ,TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V- |
|
جریان کاری |
17A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
12A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
8.5A- |
|
IDM-IDP |
48A- |
|
PD(TA=25°C) |
3.8W |
|
PD(TC=25°C) |
45W |
| RDS(on) |
0.175Ω |
|
td(ON) |
13ns |
|
tr |
55ns |
|
td(off) |
23ns |
|
Trr |
47-71ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
(فن کانادایی مونتاژ چین)فن بلبرینگی اریجینال پلکو 38*120*120 دور بالا 3300 دور 24V,0.37A AIR FLOW 131 ولتاژ 24 ولت 0.37 آمپر باد دهی131 محافظت امپدانس - موتور بزرگ BRUSHLESS DC FAN بسیار با دوام وبا کیفیت
FMH11N90E N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر فوجی الکتریک اصل ژاپن
HEXFET® Power MOSFET , p-Canal, 74A 55V TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 75 آمپر p کانال(مثبت) RDS=0.02 میلی اهم
فن بلبرینگی دور بالای اریجینال 38*92*92 5100 دور 24VDC,0.50A 12W AIR FLOW 175 RPM:5100 ولتاژ 24VDC ولت 500 میلی آمپر باد دهی175 AXIAL DC FAN MOTOR IMPEDANCE PROTECTED امپدانس محافظت شده
