SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247
ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک
RDS(on) = 0.023Ω
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مقاومت درین سورس بسیار پایین
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
94A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
200V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
3-5V |
ID(25°C) |
94A |
ID(HIGH TEMP) |
66A |
IDM-IDP |
380A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
580W |
RDS(on) |
0.023Ω |
td(ON) |
23ns |
tr |
160ns |
td(off) |
43ns |
Trr |
230-340ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.87x20.70x5.31mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR مکزیک |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
High frequency DC-DC converters
Benefits
Applications
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
ترانزیستور NPN ولتاژ25 ولت 1.5 آمپر NPN TRANSISTOR 25V,1.5A- DO-92
مقاومت کربنی820 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 2.2 اهم 1206 تلرانس 5 درصد