HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V |
جریان کاری |
35A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
53A |
ID(HIGH TEMP) |
37A |
IDM-IDP |
180A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
107W |
RDS(on) |
16.5mΩ |
td(ON) |
14ns |
tr |
26ns |
td(off) |
52ns |
Trr |
67-101ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ساخت نیچیکون اصل بسیار با کیفیت ساخت ژاپن 105 درجه سایز 30 در 55 سری طول عمر بالا (CE) استفاده عمده در جوش های اینورتری
1N4736A Zener Diodes 6.8V 1W دیود زنر 6.8 ولت 1 وات(1000میلی وات)
فلزی - کیفیت بالا ساخت چین بست خازن برای قطر خازن 51 میلیمتری(قطر 5.1cm) 51mm capacitor holder