HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
35A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
53A |
|
ID(HIGH TEMP) |
37A |
|
IDM-IDP |
180A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
107W |
| RDS(on) |
16.5mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
26ns |
|
td(off) |
52ns |
|
Trr |
67-101ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 75mΩ
توری یا گارد یا محافظ فن سایز 15 در 15 FAN GUARD150*150mm
رگلاتور ولتاژ متغیر(قابل تغییر) ثابت 3 آمپر 3.0A, 52kHz, Step-Down Switching Regulator
Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,40A,TO-3P,trr=18ns ,VF=0.95V / دیود فست 200 ولت 40 آمپر نیپا -کاتد مشترک -18 نانو ثانیه پکیچ TO-3P
