HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
35A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
53A |
|
ID(HIGH TEMP) |
37A |
|
IDM-IDP |
180A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
107W |
| RDS(on) |
16.5mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
26ns |
|
td(off) |
52ns |
|
Trr |
67-101ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
پل دیود تکفاز پر قدرت 35 آمپر 1000 ولت بدنه گلاس(پلاستیک مخصوص) / 35A,100V ,SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 256K و رم 96K با فرکانس 120 مگاهرتز ARM®-based 32-bit MCU, 150DMIPs, up to 1 MB Flash/128+4KB RAM, USB OTG HS/FS, Ethernet, 17 TIMs, 3 ADCs, 15 comm. interfaces & camera
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 3 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
