HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
35A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
53A |
|
ID(HIGH TEMP) |
37A |
|
IDM-IDP |
180A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
107W |
| RDS(on) |
16.5mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
26ns |
|
td(off) |
52ns |
|
Trr |
67-101ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ای جی بی تی 40 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال چیپ اتریش / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 40A, 600 V Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® -technology with anti-parallel diode
با سیم-آبی ترانسدیوسر Transducers Open loop current sensor based on the principle of Hall-effect سنسور حلقه باز اثر هال 0 تا 400 آمپری اریجینال خروجی 4 ولت
برد خام 16 دیودی 4 ترانسه دستگاه 12 ماسفتی با 2 شنت ساده برای استفاده واقعی از 250 آمپری (برد آروایی) برد 4 ترانسفورمره - قابلیت نصب سلف خروجی - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد کد AT-REC-M16-2SH
Schottky Barrier Rectifier, 2A, 60V دیود شاتکی 60 ولت 2 آمپر -
