HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB
ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 55mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
400V |
|
جریان کاری |
10A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
400V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-3-4V |
|
ID(25°C) |
10A |
|
ID(HIGH TEMP) |
6.3A |
|
IDM-IDP |
40A |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
125W |
| RDS(on) |
0.48-0.55Ω |
|
td(ON) |
17ns |
|
tr |
10ns |
|
td(off) |
10ns |
|
Trr |
370ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.40x15.75x4.60mm |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
درایور تریاک اپتوکوپلری 400 ولت 1 کانال 5K ولت ایزوله،اپتو ترایاک 6 پین Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel ,DIP-6
1 نانو فاراد 2 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 1NF/2KV
هیت سینگ دستگاه 8 ای جی بی تی قسمت IGBT ها قلاویز شده (قسمت هیدسنگ دیودها جداست) ساخت چین کیفیت و ظاهر بسیار خوب با دوام و صنعتی
کانکتور لاک پاور مخابراتی مربعی صاف 4 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
