ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال المان/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 75A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP
75A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™
and Fieldstop technology with soft,
fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال اتریش
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
80A |
|
IC(HIGH TEMP) |
75A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
428W |
|
VGE(th) |
4.1-4.9-5.7V |
|
VCE(sat) |
1.5-2V |
|
ICM-IC PULSE |
225A |
|
IF(25°C) |
80A |
|
IF(HIGH TEMP) |
75A |
|
td(ON) |
33ns |
|
tr |
36ns |
|
td(off) |
330ns |
|
Trr |
121ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.21x21.17x5.57mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
اتریش |
|
کیفیت |
ارجینال اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Features:
Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175°C
Short circuit withstand time 5s
Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterruptible Power Supply
TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target

40A, 600 V, High speed DuoPack ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال اتریش دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
هیت سینگ دستگاه 8 ای جی بی تی قسمت دیود ها قلاویز شده (قسمت هیدسنگ IGBT ها جداست) ساخت چین کیفیت و ظاهر بسیار خوب با دوام و صنعتی
کانکتور مخابراتی مربعی سیم دار صاف 5 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 900V,5A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications