1 نانو فاراد 3 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 1nF/3KV
مشخصات:
|
ویژگی |
مقادیر |
|
خانواده |
خازن |
| تعداد پین |
2 |
| ظرفیت خازن |
1nF |
| ولتاژ کاری |
3kV |
| تلرانس (درصد خطا) |
10 |
| پکیج |
- |
| نوع مونتاژ |
DIP |
| کشور سازنده | چین |
| برند |
OTHER |
| جنس |
سرامیکی |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
- |
|
کیفیت |
خوب |
|
ویژگی خاص |
- |
ا
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
مقاومت کربنی390 اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
مقاومت کربنی18کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
4 سیم (PWM - Frequency Generator , ولتاژ و زمین) 38*120*120 6200 دور ولتاژ 12 ولت دی سی 2.7 آمپر باد دهی320 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 12VDC,2.7A AIR FLOW 320 RPM:6200