ای جی بی تی الترا فست 28 آمپر 600 ولت اینفینیون اورجینال اتریش/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 28A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft,
fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله یو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
Features:
Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175°C
Short circuit withstand time 5s
Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
28A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
28A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
166W |
VGE(th) |
4.1x4.9x5.7V |
VCE(sat) |
1.5V |
ICM-IC PULSE |
60A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
18ns |
tr |
14ns |
td(off) |
199ns |
Trr |
41ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
- |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
INFINEON |
کشور سازنده |
اتریش |
کیفیت |
اریجینال- چیپ اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Features:
Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175°C
Short circuit withstand time 5s
Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterruptible Power Supply
TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target
1A,800V ,150 ns ,DO-41 , Fast Recovery Diode دیودالترا فست 800 ولت 1 آمپر trr =500ns
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
مقاومت کربنی1 کیلو اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
مقاومت کربنی15 کیلو اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor