TRANSISTOR, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 49A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 49 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
TRANSISTOR, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 49A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 49 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
49A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-3-4V |
|
ID(25°C) |
49A |
|
ID(HIGH TEMP) |
35A |
|
IDM-IDP |
160A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
110W |
| RDS(on) |
15-22mΩ |
|
td(ON) |
18-26ns |
|
tr |
50-75ns |
|
td(off) |
40-50ns |
|
Trr |
47ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.3x15.8x4.5mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
ای جی بی تی فست 48 آمپر 600 ولتIR اریجینال مکزیک دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا IGBT Trench 600V 48A 454W Through Hole TO-247AD n-channel ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IRGP4063PbF IRGP4063-EPbF
رله 10 آمپر 24 ولت رله 24 ولت میلون کیفیت عالی سونگل 5 پین 10A 250VAC/30VDC کیفیت و طول عمر بالا
ترانس 9 پین HI VOLTAGE مدل EER42X15 8:45:92 -استفاده در بردهای HF دستگاه پلاسما- استفاده در انواع دستگاه جوش آرگون
