600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-264 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
66A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
260W |
|
VGE(th) |
4-6-8V |
|
VCE(sat) |
2.20-2.80V |
|
ICM-IC PULSE |
132A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
126ns |
|
tr |
95ns |
|
td(off) |
530ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
20.3x29x5.3mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced
termination scheme to provide an enhanced and reliable high
voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically
suited for applications requiring a guaranteed short circuit
withstand time such as Motor Control Drives. Fast switching
characteristics result in efficient operations at high frequencies.
• Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
• High Speed Eoff: 60 J per Amp typical at 125°C
• High Short Circuit Capability – 10 s minimum
• Robust High Voltage Termination
• Robust RBSOA
Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS
6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 80mΩ
ساخت تایوان بسیار با کیفیت 105 درجه سایز 25 در 50 سری طول عمر بالا (HK) استفاده عمده در جوش های اینورتری TEAPO
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 150 اهم 1206 تلرانس 5 درصد
ترانس خروجی دستگاه جوش مدل iGBT مدل 200 آمپری تک برد آروا کیفیت هسته عالی و صنعتی TDK ژاپن
