600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-264 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
66A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
260W |
|
VGE(th) |
4-6-8V |
|
VCE(sat) |
2.20-2.80V |
|
ICM-IC PULSE |
132A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
126ns |
|
tr |
95ns |
|
td(off) |
530ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
20.3x29x5.3mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced
termination scheme to provide an enhanced and reliable high
voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically
suited for applications requiring a guaranteed short circuit
withstand time such as Motor Control Drives. Fast switching
characteristics result in efficient operations at high frequencies.
• Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
• High Speed Eoff: 60 J per Amp typical at 125°C
• High Short Circuit Capability – 10 s minimum
• Robust High Voltage Termination
• Robust RBSOA
Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS
42A,100V, 0.240 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 100 ولت 42 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.036
ترانس خروجی دستگاه جوش مدل iGBT مدل 200 آمپری کیفیت هسته عالی و صنعتی TDK ژاپن
1A,600V ,150 ns ,DO-41 , Fast Recovery Diode دیودالترا فست 600 ولت 1 آمپر trr =250ns
درایور 8 کانال دارلینگتون خروجی 500 میلی آمپر 8ch Darlington Sink Driver,DIP-18
