02166766927 -02166703652
info@atrinelec.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

MGY40N60 بزودی

MGY40N60
600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola
0 تومان

نقد و بررسی اجمالی

600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola

 

 دریافت دیتا شیت

دریافت  کتابخانه( ALITUM  DESIGNER )

موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS  و انواع اینورتر
 اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

IGBT

سریIGBT

IGBT Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-264

ولتاژکاری

600V

جریان کاری

40A

VCE

600V

 IC(25°C)

66A

 IC(HIGH TEMP)

40A

VGE

±20V

Ptot-PD

260W

VGE(th)

4-6-8V

VCE(sat)

2.20-2.80V

ICM-IC PULSE

132A

 IF(25°C)

-

 IF(HIGH TEMP)

-

td(ON)

126ns

tr

95ns

td(off)

530ns

Trr

-

IGBT PACK

1

Thermistors

-

ابعاد

20.3x29x5.3mm

دمای کاری

150+~55-

برند

OTHER

کشور سازنده

-

کیفیت

ارجینال
نوع مونتاژ DIP

ویژگی خاص

دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا


N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced
termination scheme to provide an enhanced and reliable high
voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically
suited for applications requiring a guaranteed short circuit
withstand time such as Motor Control Drives. Fast switching
characteristics result in efficient operations at high frequencies.
• Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
• High Speed Eoff: 60 J per Amp typical at 125°C
• High Short Circuit Capability – 10 s minimum
• Robust High Voltage Termination
• Robust RBSOA

Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS


به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن