600V,27A,IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
600V,27A,IGBT WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
27A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
55A |
|
IC(HIGH TEMP) |
27A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.65-2V |
|
ICM-IC PULSE |
220A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
25A |
|
td(ON) |
46ns |
|
tr |
25ns |
|
td(off) |
140-230ns |
|
Trr |
50-75ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
ویژگی ها:
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
مزایا:
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies
available
• IGBT's optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
پین هدر نری یک ردیف 40 پین سایز 2 میلی متر
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت کربنی6.8 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
40A, 1200 V,High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel diode ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
