09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

40QR21/GT40QR21 اریجینال توشیبا ژاپن

GT40QR21
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
15.0 %
102,800 تومان 87,400 تومان
+20
18.4 %
98,700 تومان 83,900 تومان
+100
21.7 %
94,700 تومان 80,500 تومان
+500
25.0 %
90,700 تومان 77,100 تومان
توجه: حداقل تعداد خرید این محصول 1 عدد می باشد.
جایگزین: K40T120/IKW40T120 برند: TOSHIBA پکیج: TO-3P وزن: 6.0g ابعاد: 0.45x2x1.55 دیتاشیت

نقد و بررسی اجمالی

ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P

 

TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
1200V,40A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن
 دریافت دیتا شیت


DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
1200 ولت 40آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

IGBT

سریIGBT

IGBT Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

1200V

جریان کاری

40A

VCE

1200V

 (IC(25°C

40A

 (IC(HIGH TEMP

35A

VGE

±25V

Ptot-PD

230W

(VGE(th

-

(VCE(sat

1.50-2.7V

ICM-IC PULSE

80A

 (IF(25°C

20A

 (IF(HIGH TEMP

-

(td(ON

0.18uS

tr

0.12uS

(td(off

0.40UF

Trr

0.60uS

IGBT PACK

1

Thermistors

-

ابعاد

15.5x20.3x4.5mm

دمای کاری

175+~55-

برند

TOSHIBA

کشور سازنده

ژاپن

کیفیت

اریجینال توشیبا ژاپن
نوع مونتاژ DIP

ویژگی خاص

دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

 




به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن