ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
1200V,40A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
1200 ولت 40آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
1200V |
| (IC(25°C |
40A |
|
(IC(HIGH TEMP |
35A |
|
VGE |
±25V |
|
Ptot-PD |
230W |
|
(VGE(th |
- |
|
(VCE(sat |
1.50-2.7V |
|
ICM-IC PULSE |
80A |
|
(IF(25°C |
20A |
|
(IF(HIGH TEMP |
- |
|
(td(ON |
0.18uS |
|
tr |
0.12uS |
|
(td(off |
0.40UF |
|
Trr |
0.60uS |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ولوم 10000 سیکل تک (3 پایه) 10 کیلو B103 RVS28 کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
مخابرات کانکتوری(بی سیم)-آبی ترانسدیوسر Transducers Open loop current sensor based on the principle of Hall-effect سنسور حلقه باز اثر هال 0 تا 200 آمپری اریجینال خروجی 4 ولت
43A 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS, TO-247 ای جی بی تی 43 آمپر (22 امپر در دمای 110 درجه) فست 1200 ولت فیرچایلد اورجینال (ON) دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر سیلان RDS(on) = 0.175