25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
25A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
25A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
365W |
|
VGE(th) |
5.1-5.8-6.4V |
|
VCE(sat) |
1.6-1.8V |
|
ICM-IC PULSE |
75A |
|
IF(25°C) |
50A |
|
IF(HIGH TEMP) |
25A |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
324ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.13x21.10x5.21mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ویژگی ها:
• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
• Body diode clamps negative voltages
• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
کاربردها:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications
1200V,300A,infineon,2-Pack ماژول 1200 ولت 300 آمپر دوبل فرکانس بالا و سریع اینفینیون اریجینال
دیاک DB3 با ولتاژ شکست 28 تا 36 ولت TRIGGER DIODES
مقاومت کربنی33 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
اس ام دی-برد کنترل دستگاه جوش مدل 250 آمپری یا 200 آمپری مدل IGBT استفاده از آیسی آلمانی UC3846 کیفیت بالا و صنعتی برد اسیلاتور دستگاه 250 آمپر Igbt فرکانس 52 کیلو تنظیم شده-
