25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
25A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
25A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
365W |
|
VGE(th) |
5.1-5.8-6.4V |
|
VCE(sat) |
1.6-1.8V |
|
ICM-IC PULSE |
75A |
|
IF(25°C) |
50A |
|
IF(HIGH TEMP) |
25A |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
324ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.13x21.10x5.21mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ویژگی ها:
• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
• Body diode clamps negative voltages
• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
کاربردها:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications
ولوم 10000 سیکل تک (3 پایه) 5کیلو B502 RVS28 کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
خازن الکترولیت 1000 میکرو فاراد 50 ولت 105 درجه کیفیت بالا
ای سی کنترلر لپ تاپ Environment Control – Low Pin Count Input / Output (EC - LPC I/O)
هویه قلمی برند YIHUA توان 30W -ورودی 220-ماکزیمم دمای تولیدی 500 درجه سانتیگراد - سر هویه با کیفیت و قابل تعویض-طول عمر بالای المنت هویه
