09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

H25R1202/IHW25N120R2 اورجینال واردات از Digi-Key اتریش

IHW25N120R2
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
83,300 تومان

نقد و بررسی اجمالی

25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

 

 دریافت دیتا شیت

25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
ای جی بی تی  25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

IGBT

سریIGBT

IGBT Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-247

ولتاژکاری

1200V

جریان کاری

25A

VCE

1200V

 IC(25°C)

50A

 IC(HIGH TEMP)

25A

VGE

±20V

Ptot-PD

365W

VGE(th)

5.1-5.8-6.4V

VCE(sat)

1.6-1.8V

ICM-IC PULSE

75A

 IF(25°C)

50A

 IF(HIGH TEMP)

25A

td(ON)

-

tr

-

td(off)

324ns

Trr

-

IGBT PACK

1

Thermistors

-

ابعاد

16.13x21.10x5.21mm

دمای کاری

175+~40-

برند

INFINEON

کشور سازنده

-

کیفیت

اریجینال
نوع مونتاژ DIP

ویژگی خاص

دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

 

 



ویژگی ها:
• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
• Body diode clamps negative voltages
• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

کاربردها:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن