09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

5N2008/H5N2008P کمیاب ساخت ژاپن

H5N2008P
ای جی بی تی فست 96 آمپر 200 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 200V,96A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
213,100 تومان

نقد و بررسی اجمالی

ای جی بی تی فست 96 آمپر 200 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 200V,96A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

 

Features
• Low on-resistance
• Low leakage current
• High speed switching


موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS  و انواع اینورتر
 اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

IGBT

سریIGBT

IGBT Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

200V

جریان کاری

96A

VCE

200V

 IC(25°C)

-

 IC(HIGH TEMP)

96A

VGE

±30V

Ptot-PD

-

VGE(th)

-

VCE(sat)

-

ICM-IC PULSE

-

 IF(25°C)

-

 IF(HIGH TEMP)

-

td(ON)

60ns

tr

370ns

td(off)

220ns

Trr

180ns

IGBT PACK

1

Thermistors

-

ابعاد

15.94x21.13x5.02mm

دمای کاری

150+~55-

برند

RENESAS

کشور سازنده

-

کیفیت

ارجینال ژاپن
نوع مونتاژ DIP

ویژگی خاص

دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

 

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن