ای سی حافظه نند فلش 1گیگابیت/128 مگابایت 128M x 8 Bit NAND Flash Memory اورجینال
FEATURES
Voltage Supply - 3.3V Device(K9F1G08U0C) : 2.7V ~ 3.6V •
Organization - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit •
Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte •
(Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 25µs(Max.) - Serial Access : 25ns(Min •
(Fast Write Cycle Time - Page Program time : 200µs(Typ.) - Block Erase Time : 1.5ms(Typ •
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port •
Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions •
Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance : TBD Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte ECC) - Data Retention : TBD •
Command Driven Operation •
Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC •
Unique ID for Copyright Protection •
(K9F1G08U0C-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch •
رگلاتور 15 ولت ثابت 1.5 آمپر Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 15V 1.5A TO-220AB
ولوم 30000 سیکل دوبل روبردی / 10کیلو بسیار با کیفیت و طول عمر بالا رو بردی potentiometer B103 5pin کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
تبلت اسیلوسکوپ دیجیتال 2 کانال 100 مگاهرتز -سرعت نمونه برداری 1GSa/S -صفحه نمایش 7 اینچی TFT با کیفیت-عمق حافظه 240 کیلوبیت
چیپ بزرگ - ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر نیپا/ N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A TO-3P
