ای سی حافظه نند فلش 1گیگابیت/128 مگابایت 128M x 8 Bit NAND Flash Memory اورجینال
FEATURES
Voltage Supply - 3.3V Device(K9F1G08U0C) : 2.7V ~ 3.6V •
Organization - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit •
Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte •
(Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 25µs(Max.) - Serial Access : 25ns(Min •
(Fast Write Cycle Time - Page Program time : 200µs(Typ.) - Block Erase Time : 1.5ms(Typ •
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port •
Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions •
Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance : TBD Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte ECC) - Data Retention : TBD •
Command Driven Operation •
Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC •
Unique ID for Copyright Protection •
(K9F1G08U0C-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch •
ترانس خروجی دستگاه جوش مدلGBT i مدل 250 یا 200 آمپری کد T61*20*AO 20:4 کیفیت هسته عالی و صنعتی TDK ژاپن
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 64K و رم 8K با فرکانس 24 مگاهرتز Low & medium-density value line, advanced ARM®-based 32-bit MCU with 16 to 128 KB Flash, 12 timers, ADC, DAC & 8 comm interfaces
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری 3.3 اهم 10 وات 3.3R10W 3.3R
پتانسیومتر 500 اهم ایستاده / POT 500 OHM / WH06-1C-500
