09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

FQPF8N90C/8N90C

FQP8N90C / FQPF8N90C
N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
60,000 تومان
+50
4.0 %
57,600 تومان
برند: FAIRCHILD پکیج: TO-220F وزن: 2.0g دیتاشیت

نقد و بررسی اجمالی

N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد

 

N-Channel QFET® MOSFET
900V, 6.3 A, 1.9 Ω
ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
 دریافت دیتا شیت
پکیج عایق پلاستیکی

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

ماسفت

سریMOSFET-FET

MOSFET-Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-220F

ولتاژکاری

900V

جریان کاری

6.3A

نوع کانال

N-CHANNEL

VDS-VDSS

900V

VGS-VGSS

±30V

VGS(th)

3-5V

 ID(25°C)

6.3A

 ID(HIGH TEMP)

3.8A

IDM-IDP

25A

PD(TA=25°C)

0.48

PD(TC=25°C)

60W
RDS(on)

1.6-1.9Ω

td(ON)

40-90ns

tr

110-230ns

td(off)

70-150ns

Trr

530ns

MOSFET PACK

1

ابعاد

9.90x15.90x4.50mm

دمای کاری

150+~55-

برند

FAIRCHILD

کشور سازنده

-

کیفیت

ارجینال
نوع مونتاژ DIP     
ویژگی خاص  فیرچایلد با دیود هرزگرد


شرح:
Description
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N90C / FQPF8N90C Rev. C1
1 www.fairchildsemi.com
FQP8N90C / FQPF8N90C — N-Channel QFET® MOSFET
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance
and high avalanche energy strength. These devices are
suitable for switched mode power supplies, active power
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts


ویژگی ها:
Features
• 6.3 A, 900 V, RDS(on) = 1.9 Ω (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 3.15 A
• Low Gate Charge (Typ. 35 nC)
• Low Crss (Typ. 12 pF)
• 100% Avalanche Tested

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن