FQPF8N90C/8N90C

FQP8N90C / FQPF8N90C

N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد

تعداد

تخفیف

قیمت

126,000 تومان

+50

4.0 %

121,000 تومان

موجودی:

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

برند: FAIRCHILD پکیج: TO-220F وزن: 2.0g دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: ماسفت Discrete، سه پایه تمام ماسفت ها قطعات الکترونیکی و داخلی

نقد و بررسی اجمالی

N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد

N-Channel QFET® MOSFET
900V, 6.3 A, 1.9 Ω
ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
دریافت دیتا شیت
پکیج عایق پلاستیکی

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	ماسفت
سریMOSFET-FET	MOSFET-Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-220F
ولتاژکاری	900V
جریان کاری	6.3A
نوع کانال	N-CHANNEL
VDS-VDSS	900V
VGS-VGSS	±30V
VGS(th)	3-5V
ID(25°C)	6.3A
ID(HIGH TEMP)	3.8A
IDM-IDP	25A
PD(TA=25°C)	0.48
PD(TC=25°C)	60W
RDS(on)	1.6-1.9Ω
td(ON)	40-90ns
tr	110-230ns
td(off)	70-150ns
Trr	530ns
MOSFET PACK	1
ابعاد	9.90x15.90x4.50mm
دمای کاری	150+~55-
برند	FAIRCHILD
کشور سازنده	-
کیفیت	ارجینال
نوع مونتاژ	DIP
ویژگی خاص	فیرچایلد با دیود هرزگرد

شرح:
Description
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N90C / FQPF8N90C Rev. C1
1 www.fairchildsemi.com
FQP8N90C / FQPF8N90C — N-Channel QFET® MOSFET
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance
and high avalanche energy strength. These devices are
suitable for switched mode power supplies, active power
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts

ویژگی ها:
Features
• 6.3 A, 900 V, RDS(on) = 1.9 Ω (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 3.15 A
• Low Gate Charge (Typ. 35 nC)
• Low Crss (Typ. 12 pF)
• 100% Avalanche Tested