HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB
ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 15mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
18A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
200V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
18A |
ID(HIGH TEMP) |
13A |
IDM-IDP |
72A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.15Ω |
td(ON) |
10ns |
tr |
19ns |
td(off) |
23ns |
Trr |
167-251ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
TRANSISTOR, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 49A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 49 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 15 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
فت N کانال جهت تقویت کننده ها 25 ولت 100 میلی آمپر n-channel JFETs VHF BuFFer Amplifiers