HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB
ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 55mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
400V |
|
جریان کاری |
10A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
400V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
10A |
|
ID(HIGH TEMP) |
6.3A |
|
IDM-IDP |
40A |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
125W |
| RDS(on) |
0.55Ω |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
27ns |
|
td(off) |
50ns |
|
Trr |
370-790ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
VISHAY |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
تک فاز بلبرینگی دور بالای اریجینال نیپا 50*150*150 3100 دور نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 220VAC,0.25A AIR FLOW 200 RPM:3100 ولتاژ 220 ولت متناوب 0.25 آمپر باد دهی200 AXIAL AC FAN MOTOR
1000V, 40A Field Stop Trench IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
درایور PWM اریجینال 400 کیلوهرتز 8 تا 35 ولت کاری Pulse Width Modulator Control Circuit,DIP-18
خازن سرامیکی ولتاژبالا 4.7 نانوفاراد 2 کیلو ولت 472/2KV
