HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 11.7mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
100V- |
جریان کاری |
19A- |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
100V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
19A- |
ID(HIGH TEMP) |
12A- |
IDM-IDP |
76A- |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.150-0.200Ω |
td(ON) |
16-20ns |
tr |
65-100ns |
td(off) |
47-70ns |
Trr |
170ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 23A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
پلی استر 4.7 میکرو فاراد 250 ولت CBB سری طول عمر بالا
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 55 کیلو هرتز Current Mode PWM Controller,DIP-8 درایور PWM اریجینال
ترایاک 16 آمپر 600 ولت،تریاک 16A ,600V, logic level and standard Triacs,TO-220AB
مقاومت5 % کربنی 1 وات