30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.075
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.075
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
30A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
30A |
|
ID(HIGH TEMP) |
21A |
|
IDM-IDP |
120A |
|
PD(TA=25°C) |
1.4W |
|
PD(TC=25°C) |
214W |
| RDS(on) |
0.075Ω |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
43ns |
|
td(off) |
41ns |
|
Trr |
186-279ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
40A, 600 V, High speed DuoPack ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال اتریش دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیاک DB3 با ولتاژ شکست 28 تا 36 ولت TRIGGER DIODES
مقاومت کربنی150 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
BZX55C2V4 Zener Diodes 2.4V 500mW دیود زنر 2.4 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
