11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 50mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 50mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V- |
|
جریان کاری |
11A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
11A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
7A- |
|
IDM-IDP |
44A- |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
125W |
| RDS(on) |
0.350-0.500Ω |
|
td(ON) |
18-22ns |
|
tr |
45-68ns |
|
td(off) |
75-90ns |
|
Trr |
300ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 11A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
تک فاز بلبرینگی دور بالای اریجینال نیپا 50*150*150 3100 دور نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 220VAC,0.25A AIR FLOW 200 RPM:3100 ولتاژ 220 ولت متناوب 0.25 آمپر باد دهی200 AXIAL AC FAN MOTOR
ترانزیستور NPN ولتاژ30 ولت 700 میلی آمپر LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR NPN TRANSISTOR 30V,700mA- DO-92
ترایاک 40 آمپر 600 ولت ،تریاک 40A ,600V, logic level and standard Triacs,RD91
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 5.6 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
