11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 50mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 50mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
200V- |
جریان کاری |
11A- |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
200V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
11A- |
ID(HIGH TEMP) |
7A- |
IDM-IDP |
44A- |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
125W |
RDS(on) |
0.350-0.500Ω |
td(ON) |
18-22ns |
tr |
45-68ns |
td(off) |
75-90ns |
Trr |
300ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 11A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
1 نانوفاراد 10 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 102/10KV 1NF/10KV 1000pF/10KV
سنسور حرارتی ترموسوییچ 75 درجه سانتی گراد با بدنه سرامیکی - ولتاژ کاری 250 ولت - جریان کاری 5 آمپر-نرمال کلوز NC( تیغه بسته) - KSD-9700 Series Thermal Protector
N-channel MOSFER 20V, 6.6A SO-8 ماسفت اس ام دی 20 ولت 6.6 آمپر