23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.14
23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر
RDS(on) = 0.14
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
250V |
|
جریان کاری |
23A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
250V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
23A |
|
ID(HIGH TEMP) |
16A |
|
IDM-IDP |
92A |
|
PD(TA=25°C) |
1.5W |
|
PD(TC=25°C) |
220W |
| RDS(on) |
125mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
37ns |
|
Trr |
210-310ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کیفیت بالا -ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 3 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار نود درجه 5 پین(نری) رایت انگل- فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
کانکتور لاک پاور مخابراتی مربعی صاف 4 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
