23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.14
23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر
RDS(on) = 0.14
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
250V |
|
جریان کاری |
23A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
250V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
23A |
|
ID(HIGH TEMP) |
16A |
|
IDM-IDP |
92A |
|
PD(TA=25°C) |
1.5W |
|
PD(TC=25°C) |
220W |
| RDS(on) |
125mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
37ns |
|
Trr |
210-310ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کیفیت بالا -ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
برد خام 6 خازنی دستگاه IGBT - 2 رله-PTC و NTC دار- وریستور دار - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد کد AT-250G-6C
BZX55C6V2 Zener Diodes 6.2V 500mW دیود زنر 6.2 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت MASPOWER اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 40A, 1200 V, High Speed Switching & Low Power Loss
