MOSFETs Silicon N-Channel MOS 600V,38A (DTMOS) ماسفت قدرت N کانال 600 ولت 38 آمپر توشیبا RDS(on) = 0.055
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 Ω (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 1.9 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TO-247
موارد استفاده :
انواع سوئیچینگ
ماینر ها
پاور های صنعتی
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
38A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
600V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
- |
|
ID(HIGH TEMP) |
38A |
|
IDM-IDP |
155A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
270W |
| RDS(on) |
0.055Ω |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
50ns |
|
td(off) |
200ns |
|
Trr |
450ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کپی |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
ای سی 2 گیت اند چهار وروی Dual 4-input AND gate
ساخت تایوان بسیار با کیفیت 105 درجه سایز 25 در 50 سری طول عمر بالا (HK) استفاده عمده در جوش های اینورتری TEAPO
1N4753A Zener Diodes 36V 1W دیود زنر36 ولت 1 وات(1000میلی وات)
