HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر سیلان RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
TRANSISTOR, P-channel MOSFET,IRF9Z24N
12A ,55V ,TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V- |
|
جریان کاری |
17A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
12A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
8.5A- |
|
IDM-IDP |
48A- |
|
PD(TA=25°C) |
3.8W |
|
PD(TC=25°C) |
45W |
| RDS(on) |
0.175Ω |
|
td(ON) |
13ns |
|
tr |
55ns |
|
td(off) |
23ns |
|
Trr |
47-71ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
سیلان |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
ای سی تقویت کننده صوت ،آمپلی فایر صدا 4 کاناله 45 وات 4 اهم و ولتاژ کاری 14 ولت ،دارای فانکشن ST-BY و MUTE و امکانات دیگر 4 X 45W QUAD BRIDGE CAR RADIO AMPLIFIER
گلند پلاستیکی با سایز رزوه PG13.5 و جنس بدنه پلی آمید Cable gland, PG13,5, IP68
دیود فست 600 ولت 60 آمپر WXDH چین - کاتد مشترک /Low-Loss Fast Recovery Diode 600V,60A,TO-3P
