ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
Features:
•1200V Field Stop Trench IGBT Technology
•Low Switching Loss for a Wide Temperature Range
•Positive Temperature Coefficient
•Easy Parallel Operation
•RoHSCompliant
•JEDEC Qualification
Applications :
UPS, Welder, Inverter, Solar
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3PN |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
80 |
|
IC(HIGH TEMP) |
40 |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
- |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
trinno |
|
کشور سازنده |
کره جنوبی |
|
کیفیت |
ارجینال-کیفیت خوب |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
پل دیود تکفاز پر قدرت 50 آمپر 1000 ولت بدنه گلاس(پلاستیک مخصوص) / 50A,1000V ,SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
برد خام 16 دیودی 4 ترانسه دستگاه 12 ماسفتی با 2 شنت ساده برای استفاده واقعی از 250 آمپری (برد آروایی) برد 4 ترانسفورمره - قابلیت نصب سلف خروجی - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد کد AT-REC-M16-2SH
دیود فست 200 ولت 2 آمپر/ Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode, 2 A, 200 V trr = 25 ns VF =0.88 V
