1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
Features
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
24A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
45A |
|
IC(HIGH TEMP) |
24A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.65-2V |
|
ICM-IC PULSE |
220A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
24A |
|
td(ON) |
46ns |
|
tr |
27ns |
|
td(off) |
110-170ns |
|
Trr |
24ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
POWER MOSFET 21A, 1000V, 0.500 Ohm ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر RDS(on) = 500mΩ advanced power technology
1200V,150A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 150 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
50A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP ای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 600 ولت ایفینیون چیپ اتریش مونتاژ چین دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
رگلاتور 5 ولت ثابت 1.5 آمپر Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 5V 1.5A TO-220AB
