1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
Features
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
24A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
45A |
IC(HIGH TEMP) |
24A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
200W |
VGE(th) |
3-6V |
VCE(sat) |
1.65-2V |
ICM-IC PULSE |
220A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
24A |
td(ON) |
46ns |
tr |
27ns |
td(off) |
110-170ns |
Trr |
24ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
40A, 1200 V, High Speed Switching & Low Power Loss ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ 40A, 650 V, Low Loss DuoPack
ترایاک 40 آمپر 600 ولت ،تریاک 40A ,600V, logic level and standard Triacs,RD91
4 سیم (PWM - Frequency Generator , ولتاژ و زمین) 38*120*120 6200 دور ولتاژ 12 ولت دی سی 2.7 آمپر باد دهی320 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 12VDC,2.7A AIR FLOW 320 RPM:6200