1200V,75A,infineon,6-Pack ماژول 1200 ولت 75 آمپر شش تایی سه فاز full-bridge اینفینیون اریجینال یوپکEUPEC
1200V,75A,infineon,6-Pack
ماژول 1200 ولت 75 آمپر شش تایی سه فاز full-bridge اینفینیون اریجینالEUPEC
شامل دیود های فست
EUPEC
BSM 75 GD 120 DN2
موارد استفاده :
انواع اینورترهای دور موتور
انواع اینورترهای جریان
منابع سوئیچینک
مدارهای قدرت و مخابراتی
اینورترهای جوشکاری
و......
مشخصات بیشتر:
بسیار پر قدرت و صنعتی
شامل شش iGBT میباشد
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Modules |
|
تعداد پین |
17 |
|
پکیج |
MODULE |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
- |
|
IC(HIGH TEMP) |
75A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
|
VCE(sat) |
2.5-3V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
75-150ns |
|
tr |
65-130ns |
|
td(off) |
400-600ns |
|
Trr |
0.13µs |
|
IGBT PACK |
6 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
107.5x45.5x17mm |
|
دمای کاری |
125+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال ایفینیون |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
ماژول شش تایی سه فاز full-bridge |
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر با مقاومت IR فیلیپین HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB RDS(on) = 44mΩ
40A, 1200 V,High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel diode ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
